И. П. Сошников, В. А. Петров, Ю. Ю. Проскуряков, Д. А. Кудряшов, А. В. Нащекин, Г. Э. Цырлин, R. Treharne, K. Durose, “Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7,страницы 865

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe

И. П. Сошников^abc, В. А. Петров^a, Ю. Ю. Проскуряков^d, Д. А. Кудряшов^ab, А. В. Нащекин^b, Г. Э. Цырлин^abc, R. Treharne^d, K. Durose^d

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d University of Liverpool, L69 3BX Liverpool, United Kingdom

Аннотация: Проведено исследование процессов бескаталитического синтеза структур с CdTe нитевидными нанокристаллами с использованием метода магнетронного осаждения. Показано, что при осаждении магнетронным распылением CdTe на подложки с пористым слоем SiO$_2$ могут формироваться CdTe нитевидные нанокристаллы. Сделаны оценки пористости слоев SiO$_2$ с толщиной от 2 до 15 нм, полученных осаждением магнетронным распылением

Поступила в редакцию: 20.11.2012
Принята в печать: 30.11.2012