Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn

Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированнного примесью Ni. Обнаружен эффект аккумулирования избыточного количества атомов Ni$_{1+x}$ в тетраэдрических пустотах кристаллической структуры полупроводника, а также установлена донорная природа такого структурного дефекта, изменяющего свойства полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.