Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn

Исследованы кристаллы CdTe : Mn с удельным сопротивлением $\sim$1 Ом $\cdot$ см при 300 K и диоды Шоттки на их основе. Электропроводность материала и его температурные изменения объяснены в рамках статистики электронов и дырок в полупроводнике с учетом компенсационных процессов. Определены энергия ионизации и степень компенсации доноров, ответственных за электропроводность. Показано, что при прямом включении и низких обратных напряжениях токи в диоде Шоттки Au/CdTe : Mn определяются генерацией-рекомбинацией в области пространственного заряда. При повышенных обратных смещениях (более 1.5–2 В) избыточный ток обусловлен туннелированием электронов из металла в полупроводник, а при еще больших напряжениях (более 6–7 В) наблюдается дополнительное увеличение обратного тока благодаря лавинным процессам.