Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий

Электролюминесцентным методом исследованы трехпереходные GaInP/Ga(In)As/Ge солнечные элементы после облучения 2 и 4.5 MэВ электронами и 10 MэВ протонами. Определены плотности рекомбинационных токов $p$–$n$-переходов и рассчитаны зависимости времен жизни неравновесных носителей заряда в GaInP- и Ga(In)As-слоях в зависимости от флюенсов повреждающих частиц и дозы структурных повреждений, вычислены коэффициенты повреждения для рассмотренных материалов и частиц.