В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, В. В. Хомяк, И. Г. Орлецкий, В. В. Нетяга, “Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO–$p$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7,страницы 935

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO–$p$-InSe

В. Н. Катеринчук^a, З. Р. Кудринский^a, В. В. Хомяк^b, И. Г. Орлецкий^b, В. В. Нетяга^a

^a Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
^b Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича

Аннотация: Впервые изготовлены анизотипные гетеропереходы $n$-CdO–$p$-InSe на основе слоистых кристаллов InSe. Исследованы температурные зависимости вольт-амперных характеристик гетеропереходов и определены механизмы токопрохождения через барьер при прямом и обратном смещениях. Установлена область их фоточувствительности.

Поступила в редакцию: 11.10.2012
Принята в печать: 20.10.2012