Электронные свойства пограничной области между пленками фторозамещенного и незамещенного фталоцианина меди

Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок незамещенного фталоцианина меди (CuPc) на поверхность пленок 16-фторозамещенного (гексадекафторо-) фталоцианина меди (F$_{16}$-CuPc). Использовали методику регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов (very low energy electron diffraction, VLEED), реализованную в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 эВ. Для пленок F$_{16}$-CuPc установлена структура максимумов в спектрах полного тока, выявлены ее основные отличия от структуры максимумов, известной для пленок CuPc, в энергетическом диапазоне от 5 до 15 эВ выше уровня Ферми. Отличия в структуре вакантных электронных орбиталей для случаев CuPc и F$_{16}$-CuPc обнаружены также в результате расчета методом теории функционала плотности. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от пленок CuPc и F$_{16}$-CuPc, предположено, что в процессе формирования пограничной области между этими пленками образуется переходный слой толщиной до 1 нм, для которого характерно размытие особенностей в спектре полного тока. Для исследованного интерфейсного барьера F$_{16}$-CuPc/СuPc установлены высота, протяженность и изменение работы выхода. В пограничной области происходит понижение уровня вакуума на 0.7 эВ, что соответствует переносу электронной плотности от пленки CuPc в сторону подложки F$_{16}$-CuPc.