Влияние ультразвукового нагружения на протекание тока в структурах Mo/$n$–$n^+$-Si с барьером Шоттки

Представлены результаты экспериментального исследования работы кремниевых диодов Шоттки в условиях ультразвукового нагружения (частота колебаний 9.6 МГц, интенсивность продольных волн до 0.7 Вт/см$^2$). Обнаружены обратимoе акустоиндуцированнoе уменьшение высоты барьера Шоттки (до 0.13 В) и увеличение обратного тока и тока насыщения (до 60%). Показано, что ультразвук не влияет на фактор неидеальности диодов и туннельную составляющую обратного тока. Рассмотрен процесс электронного транспорта в рамках модели неоднородного барьера Шоттки и показано, что наблюдаемые эффекты могут быть связаны с акустоиндуцированной ионизацией дефектов, находящихся на границе металл–полупроводник.