Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, А. П. Васильев, С. А. Блохин, А. С. Шуленков, С. И. Трошков, А. Г. Гладышев, А. М. Надточий, М. М. Павлов, М. А. Бобров, Д. Е. Назарук, В. М. Устинов, “Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7,страницы 985

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры с неплоским верхним распределенным брэгговским отражателем

Н. А. Малеев^ab, А. Г. Кузьменков^ab, М. М. Кулагина^a, Ю. М. Задиранов^a, А. П. Васильев^a, С. А. Блохин^ab, А. С. Шуленков^c, С. И. Трошков^a, А. Г. Гладышев^b, А. М. Надточий^a, М. М. Павлов^ab, М. А. Бобров^ab, Д. Е. Назарук^a, В. М. Устинов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
^c Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов

Аннотация: Реализованы пространственно-одномодовые полупроводниковые вертикально излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм с верхним (выводным) неплоским диэлектрическим распределенным брэгговским отражателем. Предложенная конструкция обеспечивает стабильную одномодовую генерацию во всем диапазоне рабочих токов, ограниченном перегревом активной области. Приборы с внутрирезонаторными контактами и относительно большим диаметром токовой апертуры (5–6 мкм) демонстрируют пространственно-одномодовую лазерную генерацию на длине волны 840–845 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре с пороговыми токами 1.2–1.3 мА, дифференциальной эффективностью 0.5–0.55 мВт/мА и выходной мощностью до 2 мВт.

Поступила в редакцию: 17.10.2012
Принята в печать: 24.10.2012