И. С. Вирт, И. А. Рудый, И. В. Курило, И. Е. Лопатинский, Л. Ф. Линник, В. В. Тетёркин, П. Потера, Г. Лука, “Свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$, полученных методом импульсной лазерной абляции”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7,страницы 997

Эта публикация цитируется в 25 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$, полученных методом импульсной лазерной абляции

И. С. Вирт^ab, И. А. Рудый^c, И. В. Курило^c, И. Е. Лопатинский^c, Л. Ф. Линник^d, В. В. Тетёркин^d, П. Потера^b, Г. Лука^e

^a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
^b Жешувский университет, Жешув, Республика Польша
^c Национальный университет ``Львовская политехника''
^d Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^e Институт физики Польской академии наук, Варшава, Республика Польша

Аннотация: Исследованы свойства тонких пленок Sb$_2$S$_3$ и Sb$_2$Sе$_3$ переменной толщины, осажденных на подложки Al$_2$O$_3$, Si и KCl при помощи метода импульсной лазерной абляции. Образцы получены при температуре подложек 180$^\circ$C в вакууме 10$^{-5}$ мм рт. ст. Толщина пленок составляла 40–1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследована методами рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок исследованы в температурном интервале 253–310 K. Показано, что пленки характеризуются полупроводниковыми свойствами. Структурные особенности пленок определяют их оптические параметры.

Поступила в редакцию: 01.10.2012
Принята в печать: 20.10.2012