А. Д. Буравлёв, В. Н. Неведомский, Е. В. Убыйвовк, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов, “Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 8,страницы 1033

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Квантовые точки (In,Mn)As: синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и оптические свойства

А. Д. Буравлёв^abc, В. Н. Неведомский^a, Е. В. Убыйвовк^d, В. Ф. Сапега^a, А. И. Хребтов^b, Ю. Б. Самсоненко^abc, Г. Э. Цырлин^abcd, В. М. Устинов^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Самоупорядоченные квантовые точки (In,Mn)As синтезированы с помощью метода молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001). Результаты измерений, полученных с помощью просвечивающей электронной микроскопии, показали, что легирование Mn центральной части квантовых точек не приводит к образованию структурных дефектов. Изучены оптические свойства образцов, в том числе во внешнем магнитном поле.

Поступила в редакцию: 20.12.2012
Принята в печать: 25.12.2012