Особенности дефектообразования в процессах выращивания двойных гетероструктур для инжекционных лазеров на базе материалов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$/GaSb

Отсутствие дефектов кристаллической решeтки и, в особенности, отсутствие дислокаций в активном слое в сложных многослойных гетероэпитаксиальных системах является главным условием для эффективной и надeжной работы оптоэлектронных микроприборов. Минимальные упругие напряжения в многослойных гетероэпитаксиальных системах и их отсутствие в активном слое при той повышенной температуре, которая возникает в эффективно работающем электронном приборе, является вторым необходимым условием для периода его долговременной работы.