RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1165–1168 (Mi phts8004)

Электронные свойства полупроводников

Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении

А. С. Батыревa, Р. А. Бисенгалиевa, Б. В. Новиковb, М. О. Тагировa

a Калмыцкий государственный университет, 358000 Элиста, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Исследованы низкотемпературные (77 K) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника.

Поступила в редакцию: 01.11.2012
Принята в печать: 10.12.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1153–1156

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025