RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 9, страницы 1169–1174 (Mi phts8005)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Квантовый самосогласованный расчет дифференциальной емкости полупроводниковой пленки

Д. Е. Цуриков, А. М. Яфясов

Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет

Аннотация: В рамках самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона предложена быстрая схема вычисления поверхностной дифференциальной емкости полупроводниковой пленки в случае омического контакта на тыльной стороне. Метод рассмотрен на примере германия. Сравнение с результатами феноменологического расчета выявило специфику влияния эффектов размерного квантования на вольт-фарадную характеристику пленки.

Поступила в редакцию: 07.06.2012
Принята в печать: 13.12.2012


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:9, 1157–1163

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025