Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа

С помощью метода сканирующей кельвин-зондовой микроскопии показано, что при взаимодействии зонда атомно-силового микроскопа с поверхностью $n$-GaAs наблюдается эффект трибоэлектризации. Знак изменения потенциала указывает на то, что поверхность образца после трибоэлектризации становится заряженной более отрицательно. Обнаруженные закономерности этого эффекта качественно могут быть объяснены термически активированной генерацией точечных дефектов в приповерхностных слоях образца, деформированных из-за взаимодействия с зондом.