Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций

Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления $\rho_c(T)$ омических контактов Pd–Ti–Pd–Au к широкозонным полупроводникам $n$-GaN и $n$-AlN с высокой плотностью дислокаций. На зависимостях $\rho_c(T)$ для обеих контактных систем наблюдаются участки экспоненциального спада $\rho_c(T)$, а также участки весьма слабой зависимости $\rho_c(T)$ при более высоких температурах. Кроме того, в низкотемпературной области для контакта Au–Pd–Ti–Pd–$n$-GaN наблюдается участок насыщения $\rho_c(T)$. Этот участок появляется только после быстрого термического отжига. В принципе появление участка насыщения может быть связано как с предварительным сильным легированием приконтактной области мелкой донорной примесью, так и с легированием в процессе получения контакта в результате быстрого термического отжига, если в состав контактообразующего слоя входит материал, являющийся мелким донором в A$^3$N. Полученные зависимости не объясняются существующими механизмами токопереноса. Предложены вероятные механизмы объяснения экспериментальных зависимостей $\rho_c(T)$ для омических контактов к $n$-GaN и $n$-AlN.