Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции

Исследованы температурные зависимости спектров люминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdSe диаметром 5 нм, синтезированных методами коллоидной химии. Обнаружены две полосы люминесценции в области 2.01 и 1.37 эВ, отвечающие межзонным переходам и люминесценции центров, связанных с дефектными состояниями. Построена модель, объясняющая температурную зависимость обеих полос люминесценции как при охлаждении, так и при нагреве. Предложен метод спектрально разрешенной термостимулированной люминесценции, позволяющий определить характер и энергии активации ловушек, определяющих температурное поведение интенсивностей люминесценции. С помощью этого метода получены величины энергий активации процессов эмиссии и захвата электронов в ловушки (190 и 205 мэВ соответственно), а также найдена глубина электронного уровня (57 мэВ), отвечающего за люминесценцию в области 1.37 эВ.