Б. А. Андреев, Н. А. Соболев, Д. В. Денисов, Е. И. Шек, “Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10,страницы 1344

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Б. А. Андреев^a, Н. А. Соболев^b, Д. В. Денисов^b, Е. И. Шек^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции при 4.2 K в светоизлучающих структурах на основе кремния, легированного эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 500$^\circ$С, после отжига при 800–900$^\circ$С. Выявлены три серии линий, принадлежащих излучающим центрам эрбия в кремнии с низкой концентрацией примеси кислорода.

Поступила в редакцию: 04.03.2013
Принята в печать: 18.03.2013