Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами

Изучена роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата электронов в глубокую квантовую яму. На примере двух- и трехуровневой квантовых ям были рассмотрены основные механизмы захвата электронов – при взаимодействии с оптическими фононами и кулоновского взаимодействия между собой, рассчитаны соответствующие вероятности захвата и времена жизни электронов. Также было учтено влияние оже-рекомбинации на распределение носителей заряда в квантовой яме. С учетом этого решена система скоростных уравнений для нестационарного режима и найдены временные зависимости концентраций электронов на основном энергетическом уровне в квантовой яме. Показаны вклады каждого из рассмотренных процессов рекомбинации.