RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1356–1360 (Mi phts8039)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Композитная система на основе квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs

А. И. Хребтовab, В. Г. Талалаевcde, P. Wernere, В. В. Даниловaf, М. В. Артемьевg, Б. В. Новиковcd, И. В. Штромbd, А. С. Панфутоваa, Г. Э. Цырлинbdhi

a Государственный оптический институт им. С. И. Вавилова, Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, ZIK SiLi-nano, 06120 Halle (Saale), Germany
d Научно-исследовательский институт физики им. В. А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета
e Max Planck Institute of Microstructure Physics, 06120 Halle (Saale), Germany
f Петербургский государственный университет путей сообщения, 191031 Санкт-Петербург, Россия
g Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, г. Минск
h Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
i Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показана возможность создания композитной системы на основе коллоидных квантовых точек CdSe/ZnS и нитевидных нанокристаллов GaAs. С помощью методов электронной микроскопии и спектроскопии фотолюминесценции исследованы ее структурные и излучательные свойства. Хорошая смачиваемость и развитая поверхность массива ННК приводят к росту числа КТ на единицу площади и, как следствие, к увеличению светимости системы в области 600 нм. Обнаружена хорошая температурная стабильность спектра фотолюминесценции квантовых точек в диапазоне 10–295 K. Обсуждается вклад поверхностных состояний в релаксацию энергии и роль экситонных состояний в излучательной рекомбинации квантовых точек.

Поступила в редакцию: 20.03.2013
Принята в печать: 26.03.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:10, 1346–1350

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025