М. Г. Севастьянов, В. С. Лобков, А. Г. Шмелев, А. В. Леонтьев, В. Л. Матухин, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, А. В. Кукин, “Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10,страницы 1367

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Изучение электронных свойств пленок гидрогенизированного аморфного кремния методами фемтосекундной спектроскопии

М. Г. Севастьянов^a, В. С. Лобков^b, А. Г. Шмелев^b, А. В. Леонтьев^b, В. Л. Матухин^a, А. В. Бобыль^c, Е. И. Теруков^cb, А. В. Кукин^cd

^a Казанский государственный энергетический университет, 420066 Казань, Россия
^b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Представлены результаты экспериментов по измерению методом наведенной дифракционной решетки времени релаксации и коэффициента диффузии электронов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния с собственным и электронным типами проводимости при комнатной температуре. Получены значения времени релаксации электронов для этих пленок, равные 1 нс и 465 пс, и коэффициента диффузии 0.54 и 0.83 см$^2$/с. Обнаружено, что при увеличении энергии импульсов время спада сигнала наведенной решетки сокращается.

Поступила в редакцию: 25.02.2013
Принята в печать: 11.03.2013