Исследование механизмов взаимодействия NO$_2$ и поверхности слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$

Методами спектроскопии инфракрасного поглощения и электронного парамагнитного резонанса исследованы механизмы взаимодействия молекул NO$_2$ с поверхностью нанокомпозитов por-Si/SnOx, полученных методами магнетронного напыления и CVD (chemical vapor deposition). Наблюдаемое увеличение концентрации свободных носителей заряда в слоях нанокомпозитов por-Si/SnO$_x$ объясняется изменением зарядового состояния $P_b$-центров за счет образования нейтрального комплекса "поверхностный дефект-адсорбированная молекула NO$_2$" с генерацией свободного носителя заряда в объеме кристаллита. В слоях нанокомпозита, полученного методом CVD, рост концентрации свободных дырок при адсорбции NO$_2$ значительно менее выражен в сравнении с композитом, полученным методом магнетронного напыления, что обусловлено конкурирующим каналом взаимодействия молекул NO$_2$ с электронейтральными $P_b$-центрами.