Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности

Представлены описание созданной экспериментальной установки и методика ее использования для проведения ускоренных испытаний тонкопленочных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H размером до 100 $\times$ 100 мм на световую деградацию при повышенной освещенности (до 10 кВт/м$^2$). Проведено сравнение результатов оценки уровня фотоиндуцированной деградации фотопреобразователей по стандартной и разработанной методике и показано, что методика исследования фотоиндуцированной деградации при повышенной освещенности позволяет в 100 раз сократить время проведения испытаний, обеспечивая полностью адекватную оценку стабильности фотопреобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния.