Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур $T$ = 10–400 K. Показано, что в области низких температур, при $T<$ 100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в $p$-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.