RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1396–1399 (Mi phts8047)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Лазерная генерация при комнатной температуре в микрокольцевых резонаторах с активной областью на основе квантовых точек

Н. В. Крыжановскаяabc, А. Е. Жуковabc, А. М. Надточийabc, М. В. Максимовac, Э. И. Моисеевab, М. М. Кулагинаc, А. В. Савельевab, Е. М. Аракчееваac, А. А. Липовскийab, Ф. И. Зубовab, A. Kapsalisd, C. Mesaritakisd, D. Syvridisd, A. Mintairove, D. Livshitsf

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d University of Athens, Athens, Greece 15784
e University of Notre Dame, 275 Fitzpatrick Hall, Notre Dame, IN 46556, USA
f Innolume GmbH, 44263 Dortmund, Deutschland

Аннотация: Созданы микрокольцевые резонаторы (диаметром $D$ = 2.7–7 мкм) с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, и исследованы их характеристики с помощью микрофотолюминесценции и ближнепольной оптической микроскопии. Получено значение добротности 22 000 для микрокольцевого резонатора диаметром $D$ = 6 мкм. В кольцевом микролазере диаметром $D$ = 2.7 мкм при оптической накачке достигнута лазерная генерация вплоть до комнатной температуры.

Поступила в редакцию: 14.02.2013
Принята в печать: 25.02.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:10, 1387–1390

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025