RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 10, страницы 1431–1434 (Mi phts8053)

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Модели формирования оксидных слоев в наноструктурированных материалах на основе халькогенидов свинца при обработке в парах кислорода и иода

Е. В. Мараева, В. А. Мошников, Ю. М. Таиров

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основе экспериментальных результатов по изучению закономерностей формирования наноструктурированных слоев при диффузионном отжиге на ограненных монокристаллах халькогенидов свинца развиты модельные представления об управлении формированием оксидных оболочек в процессе окисления. Представлены данные об изменении состава оксидных фаз при изменении отклонения от стехиометрии в исходном халькогениде свинца. Развиты модельные представления о возможности изменения толщин оксидных фаз оболочек путем применения отжига в иодсодержащей атмосфере. Показано, что отжиг в иодидной атмосфере обеспечивает эффективное проникновение кислорода внутрь зерна, что необходимо для повышения эффективности фотолюминесценции.

Поступила в редакцию: 21.02.2013
Принята в печать: 11.03.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:10, 1422–1425

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025