RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 11, страницы 1441–1445 (Mi phts8055)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Генерация когерентного терагерцового излучения поляризованными электронно-дырочными парами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs

А. В. Андрианов, П. С. Алексеев, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. Л. Щеглов, М. А. Седова, А. О. Захарьин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Сообщается о результатах исследования генерации когерентного терагерцового излучения при комнатной температуре в условиях межзонного фемтосекундного лазерного фотовозбуждения структур с многочисленными квантовыми ямами GaAs/AlGaAs в поперечном электрическом поле. Свойства наблюдаемого терагерцового излучения позволяют связать его с возбуждением переменного во времени дипольного момента, вызванного поляризацией электрическим полем неравновесных электронно-дырочных пар в квантовых ямах. Построена теоретическая модель, учитывающая эффект динамического экранирования электрического поля в квантовой яме неравновесными носителями, которая позволяет описать свойства наблюдаемого терагерцового сигнала.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:11, 1433–1437

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025