В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, М. Я. Винниченко, Р. М. Балагула, А. А. Тонких, P. Werner, B. Fuhrmann, G. Schmidt, “Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12,страницы 1599

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Латеральная фотопроводимость структур с квантовыми точками Ge/Si

В. Ю. Паневин^a, А. Н. Софронов^a, Л. Е. Воробьев^a, Д. А. Фирсов^a, В. А. Шалыгин^a, М. Я. Винниченко^a, Р. М. Балагула^a, А. А. Тонких^bc, P. Werner^b, B. Fuhrmann^d, G. Schmidt^e

^a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 29, Санкт-Петербург, Россия
^b Max Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, 06120 Halle(Saale), Germany
^c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^d Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Interdisziplinäres Zentrum für Materialwissenschaften (IZM), Heinrich-Damerow-Str. 4 D-06120 Halle(Saale)
^e Institut für Physik, Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Von-Danckelmann-Platz 3, D-06120 Halle(Saale)

Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости и оптического поглощения, обусловленного внутризонными оптическими переходами дырок в квантовых точках Ge/Si, при различных температурах решетки. Обнаружены поляризационно-зависимые спектральные особенности, связанные с оптическими переходами дырок из основного состояния квантовых точек. Экспериментально наблюдается температурное гашение сигнала фотопроводимости, обусловленное обратным захватом неравновесных свободных дырок на связанные состояния квантовых точек. Полученные экспериментальные данные позволили определить высоту приповерхностного изгиба зон на гетерогранице квантовой точки.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013