Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, “Модель роста наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12,страницы 1621

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Модель роста наноостровков кремния на сапфире

Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Уточняется модель роста наноостровков кремния на сапфире в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что рост островков кремния происходит за счет диффузии материала из смачивающего слоя, при этом рост за счет прямого попадания атомов вклада практически не дает.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013