RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 12, страницы 1630–1635 (Mi phts8092)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника" , Нижний Новгород, март 2013 г.

Использование квазиупругого и неупругого приближений для описания динамики носителей заряда в алмазе

Ю. М. Белоусов, В. Р. Соловьев, И. В. Черноусов

Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия

Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности носителей заряда в алмазе в пространственно однородном и одномерном случаях. Результаты для стационарной подвижности в квазиупругом и неупругом приближениях в пространственно однородном случае различаются примерно в 6 раз при 20 K. В одномерном случае при постоянном источнике частиц, расположенном в глубине образца, результаты для подвижности тяжелых дырок в квазиупругом и неупругом приближениях практически совпадают. В случае начальной функции распределения, расположенной на границе образца, зависимость подвижности от времени в квазиупругом и неупругом приближениях получается существенно различной. Полученные результаты важны для интерпретации электрофизических экспериментов в алмазе.

Поступила в редакцию: 22.04.2013
Принята в печать: 30.04.2013


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2013, 47:12, 1604–1609

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025