Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе

Представлены результаты теоретического исследования на основе расчетов из первых принципов поляризационных свойств полупроводников AlN, GaN и AlGaN со структурой вюрцита. Для данных нитридных соединений рассчитаны значения спонтанной, пьезоэлектрической поляризаций и пьезоэлектрических констант. В целях дальнейшего рассмотрения перспективных гетероструктур на основе соединений (Al,Ga,AlGa)N были оценены значения зарядовых плотностей на интерфейсах AlN/GaN, AlGaN/AlN, AlGaN/GaN и концентрация носителей на гетерогранице AlGaN/GaN, приведено сравнение с экспериментальными данными.