RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 5, страницы 255–258 (Mi phts8103)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Алгоритм селективного определения компонентов газовых смесей C$_3$H$_8$–H$_2$ и H$_2$–CH$_4$ при исследовании температурной зависимости электропроводности полупроводникового сенсора на основе SnO$_2$

С. А. Казаковa, А. А. Дугинa, Т. С. Гагиевa, М. А. Гревцевa, А. В. Соколовb, О. А. Арефьеваc, А. Ю. Шишкинc, В. Н. Хворовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b ООО "НИИИТ", 123592 Москва, Россия
c АО "Научно-производственное объединение "ПРИБОР", 199034 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложен алгоритм обработки данных измерений температурной зависимости электропроводности газового сенсора на основе SnO$_2$ с целью определения концентраций отдельных компонентов в смесях C$_3$H$_8$–H$_2$ и H$_2$–CH$_4$. С этой целью проведена калибровка датчика на водород, метан и пропан по метрологически достоверным газовым смесям в сухом воздухе, по полученным концентрационным зависимостям определены коэффициенты перекрестной чувствительности датчика к тому или иному компоненту газовой смеси. С использованием известного метода независимых компонент составлены линейные уравнения для исследованных двухкомпонентных газовых смесей, решения которых удовлетворительно описывают сигналы датчика, полученные в экспериментах.

Ключевые слова: электропроводность, адсорбция, газовый сенсор, полупроводник, селективность.

Поступила в редакцию: 25.04.2025
Исправленный вариант: 08.08.2025
Принята в печать: 08.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61468.7885



© МИАН, 2025