RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 5, страницы 259–264 (Mi phts8104)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Использование освещения для идентификации газовых сред полупроводниковыми сенсорами на основе оксида цинка

Н. А. Клычков, В. В. Симаков, И. В. Синев

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия

Аннотация: Представлены результаты исследования фото- и газочувствительных свойств слоев оксида цинка (ZnO), синтезированных методом золь-гель технологии. Экспериментально показано, что проводимость и тип отклика ZnO-сенсора на воздействие газовых проб модулируются освещением образца с длиной волны в области собственного поглощения. Разработана модель электронных процессов в хеморезистивных полупроводниковых сенсорах газа, основанная на межзонной генерации носителей заряда при освещении и их рекомбинации через локализованные поверхностные уровни, индуцированные адсорбированными частицами кислорода. Результаты позволяют разработать метод энергетического сканирования запрещенной зоны газочувствительных полупроводниковых материалов для идентификации газов-восстановителей в газовых пробах.

Ключевые слова: оксид цинка, золь-гель технология, хеморезистивные сенсоры газа, фото- и газочувствительные свойства.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 09.08.2025
Принята в печать: 09.08.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.05.61469.7910



© МИАН, 2025