RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 8, страницы 1364–1368 (Mi phts811)

Определение параметров точечных центров, образующих «слабые» примесные скопления в полупроводниковых материалах

С. Е. Заболотский, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, М. Г. Плоппа, А. М. Прохоров


Аннотация: Излагается методика определения некоторых параметров точечных центров входящих в состав примесных скоплений в кристаллах германия, разработанная на основе экспериментов по температурной зависимости интенсивности рассеяния света ИК диапазона и влияния на нее подсветки СО-лазера с энергией кванта, меньшей ширины запрещенной зоны.



© МИАН, 2024