RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 60–69 (Mi phts8123)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Дифференциальная емкость $p^+$$p$-перехода

Н. А. Шеховцов

Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина

Аннотация: Исследована дифференциальная емкость $p^+$$p$-перехода, которая образована изменением заряда в области перехода с учетом электрического поля в квазинейтральной $p$-области. Получена зависимость емкости и тока $p^+$$p$-перехода от напряжения в области перехода. Показано, что изменение знака емкости $p^+$$p$-перехода с ростом уровня инжекции вызвано уменьшением биполярной дрейфовой подвижности в $p$-области. Показано, что изменение знака емкости $p^+$$p$-перехода при увеличении обратного напряжения определяет уменьшение заряда в области перехода за счет преобладания роста отрицательного заряда ионов акцепторов над ростом положительного заряда дырок.

Поступила в редакцию: 01.03.2011
Принята в печать: 27.04.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 56–66

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025