RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 70–76 (Mi phts8124)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Транспорт и частичная локализация электронов в короткопериодических напряженных полупроводниковых сверхрешетках

Л. Г. Герчиковa, К. Ауленбахерb, Ю. А. Мамаевa, Э. Ринb, Ю. П. Яшинa

a Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
b Институт ядерной физики Университета Майнца, D-55099 Майнц, Германия

Аннотация: Экспериментально и теоретически исследован транспорт поляризованных электронов в фотокатодах на основе полупроводниковой сильно напряженной сверхрешетки. Экспериментальное исследование основано на измерении с разрешением по времени электронной эмиссии из фотокатода после его фотовозбуждения фемтосекундным лазерным импульсом. Экспериментально определены времена отклика и спиновой релаксации. Проведены расчеты фотоотклика катодов и результаты сопоставлены с экспериментальными данными. Сделан вывод о наличии в сверхрешетке частичной локализации фотоэлектронов.

Поступила в редакцию: 10.05.2011
Принята в печать: 21.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 67–74

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025