Эффект де Гааза-ван Альфена в наноструктурах фторида кадмия

Измерения полевых и температурных зависимостей статической магнитной восприимчивости демонстрируют осцилляции де Гааза-ван Альфена (дГвА) при высоких температурах и слабых магнитных полях в сандвич-наноструктурах, которые представляют собой сверхузкую квантовую яму CdF$_2$ $p$-типа, ограниченную $\delta$-барьерами, сильнолегированными бором на поверхности кристалла CdF$_2$ $n$-типа. Температурные зависимости амплитуд осцилляций дГвА идентифицируют малое значение эффективной массы двумерных дырок, благодаря чему условие сильного поля, $\mu B\gg$ 1, достигается при высоких температурах. Впервые регистрируется периодическое изменение частоты осцилляций дГвА, сопровождаемое диамагнитным откликом, с ростом температуры, которое проявляет синхронные температурные осцилляции плотности и эффективной массы двумерных дырок вследствие мезоскопических свойств $\delta$-барьеров.