Аннотация:
Исследованы электрофизические характеристики и чувствительность к химическим реагентам слоев гетерофизических нанокомпозитов на основе пористого кремния и нестехиометрического диоксида олова por-Si/SnO$_x$, полученных методом магнетронного напыления олова с последующим окислением. Показано, что в слоях нанокомпозитов формируется система распределенных гетеропереходов (нанокристаллы Si/SnO$_x$), определяющих электрические характеристики таких структур. Определена чувствительность тестовых сенсорных структур, созданных на основе нанокомпозитов por-Si/SnO$_x$ к NO$_2$. Предложен механизм влияния адсорцбии молекул NO$_2$ на вольт-амперные характеристики гетеропереходов por-Si(p)/SnO$_x$(n).
Поступила в редакцию: 09.06.2011 Принята в печать: 15.06.2011