RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 1, страницы 109–112 (Mi phts8129)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование электрофизических и газочувствительных свойств слоев нанокомпозита por-Si/SnO$_x$

В. В. Болотов, В. Е. Росликов, Е. А. Курдюкова, О. В. Кривозубов, Ю. А. Стенькин, Д. В. Чередов

Омский филиал Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, 644018 Омск, Россия

Аннотация: Исследованы электрофизические характеристики и чувствительность к химическим реагентам слоев гетерофизических нанокомпозитов на основе пористого кремния и нестехиометрического диоксида олова por-Si/SnO$_x$, полученных методом магнетронного напыления олова с последующим окислением. Показано, что в слоях нанокомпозитов формируется система распределенных гетеропереходов (нанокристаллы Si/SnO$_x$), определяющих электрические характеристики таких структур. Определена чувствительность тестовых сенсорных структур, созданных на основе нанокомпозитов por-Si/SnO$_x$ к NO$_2$. Предложен механизм влияния адсорцбии молекул NO$_2$ на вольт-амперные характеристики гетеропереходов por-Si(p)/SnO$_x$(n).

Поступила в редакцию: 09.06.2011
Принята в печать: 15.06.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:1, 105–108

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025