А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, Е. С. Брилинская, Н. А. Лебедева, С. В. Новиков, H. Lipsanen, В. Г. Дубровский, “Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2,страницы 188

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств

А. Д. Буравлев^abc, Г. Э. Цырлин^abd, В. В. Романов^e, Н. Т. Баграев^ae, Е. С. Брилинская^e, Н. А. Лебедева^c, С. В. Новиков^c, H. Lipsanen^c, В. Г. Дубровский^abe

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^c Aalto University, Aalto, FI-00076, Finland
^d Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Метод молекулярно-пучковой эпитаксии использован для синтеза массивов (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов на поверхности GaAs(111)B в диапазоне ростовых температур 480–680$^\circ$C. Установлено, что формирование полученных нитевидных нанокристаллов может быть описано в рамках механизма “пар-жидкость-кристалл”. Показано, что рост (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов должен происходить в условиях, стабилизированных по галлию. Выявлено, что полевые и температурные зависимости статической магнитной восприимчивости образцов, полученных при температуре 660$^\circ$C, демонстрируют парамагнитное поведение.

Поступила в редакцию: 04.07.2011
Принята в печать: 11.07.2011