RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 2, страницы 247–251 (Mi phts8157)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb

Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Создана серия светодиодов (длина волны максимума излучения $\lambda_{\mathrm{max}}$ = 3.6 мкм при комнатной температуре) с мезами в форме конуса высотой от 10 до 130 мкм. Конусы имели вогнутую боковую поверхность. Исследована зависимость эффективности излучения таких светодиодов от высоты мезы при разных токах инжекции при температурах 77 и 298 K. Характер наблюдаемой зависимости согласуется с теоретическими расчетами. Показано, что эффективный коэффициент поглощения, обусловленный выводом излучения из кристалла, может достигать 3 см$^{-1}$ для светодиодов с мезой наибольшей высоты из данной серии (130 мкм). Коэффициент вывода излучения из кристалла приблизился к 30% при температуре 298 K и к 94% при 77 K.

Поступила в редакцию: 25.07.2011
Принята в печать: 01.08.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:2, 236–240

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025