Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 5.2 мкм)

Представлен анализ пространственной неравномерности интенсивности отрицательной люминесценции и сгущения линий прохождения тока в фотодиодах среднего инфракрасного диапазона на основе InAsSb(P) в зависимости от величины приложенного напряжения и размера контакта. Показано, что указанная неравномерность является одной из основных причин низкой чувствительности фотодиодов, имеющих невысокое значение динамического сопротивления в нуле смещения и работающих в режиме фототока.