Об энергетических уровнях серебра в твердых растворах Ge-Si

Посвящена излучению примесных состояний элемента I B подгруппы серебра в твердом растворе Ge-Si, содержащем 18 ат% Si. Донорный уровень Ag обнаружен в кристаллах, двукратно легированных галлием и серебром, а его первый акцепторный уровень - в кристаллах, легированных только серебром. Монокристаллы получались вытягиванием из расплава с применением подпитывающего слитка. Легирование галлием обеспечивалось введением его в подпитивающий слиток, а Ag вводился в кристаллы методом диффузии. Из анализа температурной зависимости коэффициента Холла и уравнения электрической нейтральности кристалла определены глубины залегания донорного уровня и первого акцепторного уровня Ag от вершины валентной зоны, которые соответственно оказались равными 0.06 и 0.29 эВ.