Динамический хаос и гистерезис автоколебаний в Si$\langle$Mn$\rangle$, обусловленные температурно-электрической неустойчивостью

В сильно компенсированных образцах $p$-Si$\langle$Мn$\rangle$ при освещении их светом из области фоточувствительности в присутствии электрического поля обнаружена сложная динамика температурно-электрической неустойчивости (ТЭН), включающая переход к динамическому хаосу и автоколебательную бистабильность. Переход от регулярных автоколебаний фототока к хаотическим осуществляется через цепочку бифуркаций удвоения периода колебаний. Исследованы условия возникновения регулярных и стохастических режимов, а также гистерезиса автоколебаний. Показана возможность перевода кристалла из одного автоколебательного состояния в другое в результате воздействия дополнительного импульса света. Проведено сопоставление полученных данных с результатами исследования аналогичной сложной динамики ТЭН в CdS.