Исследование методом электроотражения влияния $\gamma$-облучения на оптические свойства эпитаксиальных пленок GaN

Представлены результаты измерений спектров электроотражения образцов эпитаксиальных пленок GaN на сапфире, подверженных действию $\gamma$-облучения дозами 10$^5$–2 $\cdot$ 10$^6$ рад. Рассчитанные на основе модели 3 переходов теоретические спектры электроотражения с достаточной точностью совпадают с экспериментальными данными. Полученные в рамках модели величины энергий и уширений переходов дают основание полагать, что в пленках GaN существуют внутренние механические напряжения, значения которых меняются в зависимости от дозы $\gamma$-излучения.