RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3, страницы 321–326 (Mi phts8171)

Электронные свойства полупроводников

Влияние структурных дефектов технологического происхождения на оптические и фотоэлектрические свойства твердого раствора AgCd$_{2-x}$Mn$_x$GaSe$_4$

А. П. Третяк, Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Л. В. Булатецкая, О. В. Парасюк

Волынский национальный университет им. Леси Украинки, 43025 Луцк, Украина

Аннотация: Исследованы фотоэлектрические и оптические свойства твердого раствора AgCd$_{2-x}$Mn$_x$GaSe$_4$ с изовалентным замещением Mn $\to$ Cd. Определено положение максимумов фотопроводимости, фотолюминесценции и оценена ширина запрещенной зоны твердого раствора в зависимости от его компонентного состава. Проанализировано влияние технологических дефектов на особенности фотоэлектрических и оптических свойств твердого раствора. Установлено, что за центры, определяющие фоточувствительность кристаллов раствора, ответственны катионные вакансии. Центрами фотолюминесценции в интервале длин волн $\sim$0.77–0.88 мкм (в зависимости от соотношения компонент в растворе) являются комплексы дефектов, состоящие из катионной и анионной вакансий. Предложена физически не противоречивая модель наблюдаемых явлений в растворе.

Поступила в редакцию: 04.08.2011
Принята в печать: 16.08.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 306–311

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025