Б. Г. Тагиев, О. В. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, Г. Й. Эйюбов, “Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3,страницы 334

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Вольт-амперные характеристики монокристаллов соединения MnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиев^a, О. В. Тагиев^ab, С. Г. Асадуллаева^a, Г. Й. Эйюбов^a

^a Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
^b Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Бакинский филиал, AZ-1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Представлены результаты исследований вольт-амперных характеристик образцов монокристаллов MnGa$_2$Se$_4$. Измерения проводились в интервале электрических полей от выполнения закона Ома до 10 В/см и температур 300–400 K. Полученные данные обсуждены в рамках теорий инжекционно-контактных явлений и полевой ионизации ловушек за счет эффекта Пула–Френкеля.

Поступила в редакцию: 14.03.2011
Принята в печать: 01.09.2011