Фотолюминесцентное исследование структурной эволюции аморфных и кристаллических нанокластеров кремния при термическом отжиге слоев субоксида кремния различной стехиометрии

Методом фотолюминесценции изучено влияние стехиометрии тонких пленок субоксида кремния SiO$_x$ на процессы формирования и эволюции кремниевых нанокластеров при термическом отжиге. Образцы получены путем термического распыления мишени SiO в атмосфере кислорода с последующим осаждением слоя SiO$_x$ толщиной 500 нм на подложку из кремния. Морфология и размер кремниевых нанокластеров определялись путем анализа спектров и кинетики фотолюминесценции. Проведено сравнительное исследование люминесцентных свойств тонких слоев SiO$_x$ с параметрoм стехиометрии $x$ = 1.10, 1.29, 1.56 и 1.68, отожженных при различных температурах в диапазоне от 850 до 1200$^\circ$C. Изучено влияние температуры отжига, параметра стехиометрии исходной пленки субоксида кремния, а также размеров нанокластеров кремния на времена спада фотолюминесценции.