RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 3, страницы 389–395 (Mi phts8183)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe

Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, С. В. Мельничук, О. Л. Маслянчук, Е. В. Грушко, О. В. Склярчук

Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина

Аннотация: Из измерений спектров излучения изотопа $^{55}$Fe и фоточувствительности CdTe-детекторов с диодом Шоттки, а также из температурной зависимости удельного сопротивления кристалла CdTe ((2–3) $\cdot$ 10$^9$ Ом $\cdot$ см при 300 K) найдена концентрация нескомпенсированных доноров (1–3) $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-3}$. Аналогичные измерения, проведенные на кристаллах Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te с удельным сопротивлением (3–5) $\cdot$ 10$^{10}$ Ом $\cdot$ см при 300 K, показали, что концентрация нескомпенсированных дононов в этом случае примерно на 4 порядка ниже. Результаты расчетов показывают, что из-за столь значительного уменьшения концентрации нескомпенсированных доноров эффективность детектирования рентгеновского и $\gamma$-излучения в интервале энергий фотонов от 59 до 662 кэВ может уменьшиться на 1–3 порядка (в зависимости от энергии фотонов и времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда). Полученные результаты объясняют наблюдаемые неудовлетворительные детектирующие свойства Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te-детекторов.

Поступила в редакцию: 04.08.2011
Принята в печать: 15.08.2011


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2012, 46:3, 374–381

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025