Оптические и электрофизические свойства сильно легированных сплавов $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$

Исследованы дифференциальная емкость и оптические спектры (отражения, НПВО и электроотражения) поликристаллических сплавов $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ с концентрацией электронов около $10^{26}\,\text{м}^{-3}$. Получены параметры энергетической зонной структуры ($m^{*}_{ds}$, $m^{*}_{\text{opt}}$, $m_{\parallel}$, $m_{\perp}$) и время релаксации свободных носителей заряда. Установлено примерно линейное изменение $m_{\perp}$ с составом сплава $x$. Сделан вывод о наличии высокого (около ${\sim2\cdot10^{8}}$ В/м) встроенного контактного электрического поля в тонкой (${\sim2}$ нм) приповерхностной области Ge$_{1-x}$Si$_{x}$. Получены данные, свидетельствующие о вкладе фриделевских осцилляций экранирования в емкость.