Управление упругими напряжениями при росте гетероструктур (Al)GaN/SiC

Представлен анализ по данным in situ оптической рефлектометрии упругих напряжений при росте гетероструктур AlGaN полевых транзисторов на 4H-SiC методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что изменение режимов роста зародышевого AlN и буферного GaN слоев, позволяет управлять напряжениями сжатия. Проведено сравнение влияния легирования GaN атомами Fe и C на упругие напряжения. Получены режимы роста структур с прогибом $<$20 мкм для подложек диаметром до 3 дюймов.