RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 6, страницы 319–323 (Mi phts8199)

Международная конференция ФизикА.СПб, 20-24 октября 2025 г., Санкт-Петербург

Моделирование профиля распределения электронов по люминесцентному экрану при исследовании полупроводникового полевого катода

А. Г. Колоськоa, Б. Э. Мутыгуллинb, С. В. Филипповa, Е. О. Поповa, С. А. Соковa, М. С. Нечаевa, Б. В. Лобановc, Г. Д. Дёминc, А. А. Мицкевичd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124498 Зеленоград, Москва, Россия
d Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М. А. Бонч-Бруевича, 193232 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Представлен алгоритм моделирования профиля распределения плотности эмиссионного тока по поверхности плоского проводящего анода при холодной полевой эмиссии из полупроводникового катода конической формы с полусферической вершиной. Разработка включает в себя построение траекторий движения электронов от катода к аноду и обработку полученных данных с применением интегрально-аппроксимационных расчетов.

Ключевые слова: полевая эмиссия из полупроводников, моделирование траекторий электронов в COMSOL, распределение плотности тока, полевой эмиссионный проектор.

Поступила в редакцию: 05.05.2025
Исправленный вариант: 02.07.2025
Принята в печать: 08.07.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.06.61565.8076



© МИАН, 2025